Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 5.5A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 10V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 840mW • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: 2-3V1K • Встречается под наим.: TPCP8005-HTE85LFCT |
Архив документации | |
Поставщики «TPCP8005-H(TE85L,F» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | TPCP8005-H(TE85L,F (MOSFET N-CH 30V 11A PS-8 Подробнее) | Toshiba Semiconductor and Storage | – | 162402 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | TPCP8005-H(TE85L,F | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | TPCP8005-H(TE85L,F | – | – | от 7 дней |
|