Характеристики

UNR1115 — TRANS PNP W/RES 160 HFE M TYPE

Производитель: Panasonic - SSG  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 10K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  •  Модуляция частот: 80MHz  •  Мощность макcимальная: 400мВт  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: M-Type
Архив документации

Поставщики «UNR1115»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
UNR1115от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
UNR1115от 7 дней