Характеристики

UNR32AMG0L — TRANS NPN W/RES 80HFE SSSMINI

Производитель: Panasonic - SSG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 80mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  •  Модуляция частот: 150MHz  •  Мощность макcимальная: 100mW  •  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SS Mini 3P  •  Встречается под наим.: UNR32AMG0LCT
Архив документации

Поставщики «UNR32AMG0L»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
UNR32AMG0L (TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3 Подробнее)Panasonic Electronic Components16842
ООО "Аркион", Санкт-Петербург
(8) 9110839522, sales@arkion.ru
UNR32AMG0L (микросхема интегральная электронная TRANS NPN W/RES 80HFE SSSMINI от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Panasonic32544
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
UNR32AMG0L (22+; год: 10200)PANASONIC723$
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
UNR32AMG0Lот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
UNR32AMG0Lот 7 дней