Характеристики

UNR511600L — TRANS PNP W/RES 160HFE S-MINI 3P

Производитель: Panasonic - SSG  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  •  Модуляция частот: 80MHz  •  Мощность макcимальная: 150mW  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: S-Mini 3P  •  Встречается под наим.: UNR511600LDKR
Архив документации

Поставщики «UNR511600L»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
UNR511600L (TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Подробнее)Panasonic Electronic Components16229
ООО "Аркион", Санкт-Петербург
(8) 9110839522, sales@arkion.ru
UNR511600L (микросхема интегральная электронная TRANS PNP W/RES 160HFE S-MINI 3P от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Panasonic32665
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
UNR511600Lот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
UNR511600Lот 7 дней