Характеристики

UNR9112J0L — TRANS PNP W/RES 60 HFE SSMINI 3P

Производитель: Panasonic - SSG  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 22K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  •  Модуляция частот: 80MHz  •  Мощность макcимальная: 125mW  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SS Mini 3P  •  Встречается под наим.: UNR9112J0LDKR
Архив документации

Поставщики «UNR9112J0L»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Аркион"Свежие данные!UNR9112J0L (микросхема интегральная электронная TRANS PNP W/RES 60 HFE SSMINI 3P от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Panasonic32674
ООО "АСПЕКТ"UNR9112J0Lот 7 дней
ООО "Интегральные схемы"UNR9112J0Lот 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!UNR9112J0L (yпаковка: 0603-3; год: 22+)PANASONIC/45000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!UNR9112J0L (yпаковка: SOT-523F; год: 22+)Panasonic55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!UNR9112J0L (TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 Подробнее)Panasonic Electronic Components14237