Характеристики

APT10050JVR — MOSFET N-CH 1000V 19A SOT-227

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS V®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 500nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7900pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 450W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SOT-227
Архив документации

Поставщики «APT10050JVR»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
APT10050JVRот 7 дней
APT10050JVRFот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
APT10050JVRот 7 дней
APT10050JVRFот 7 дней