Характеристики

APT10M07JVFR — MOSFET N-CH 100V 225A SOT-227

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS V®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1050nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 225A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21600pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 700W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SOT-227
Архив документации

Поставщики «APT10M07JVFR»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!APT10M07JVFR (MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Подробнее)Microchip Technology156211
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdAPT10M07JVFR (Подробнее)Microchip Technology68.01$35000
Icseek Global LimitedAPT10M07JVFR (Оригинальный и наличный и новый)MICROCHIP9853
ООО "Интегральные схемы"APT10M07JVFRот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"APT10M07JVFRот 7 дней