Характеристики

APT50M60JVR — MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS V®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 31.5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 500V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 63A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10600pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 568W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SOT-227
Архив документации

Поставщики «APT50M60JVR»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АСПЕКТ"APT50M60JVRот 7 дней
ООО "Интегральные схемы"APT50M60JVRот 7 дней