| Характеристики |   Производитель: Texas Instruments • Вредные вещества:  RoHS  Без свинца • Тип памяти: RAM • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) • Объем памяти: 256K (32K x 8) • Скорость: 100ns • Интерфейс подключения: Параллельный • Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.5 V • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C • Корпус: 28-DIP Module (600 mil) • Встречается под наим.: 296-9391-5 |
| Архив документации | |
| Наименование | Производитель | Цена | Склад |  Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com |   | | BQ4011MA-100 (Подробнее) | Texas Instruments | – | 35000 |  Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com |  | | BQ4011MA-100 (IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Подробнее) | Texas Instruments | – | 4253 |  ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru |  | | BQ4011MA-100 (микросхема интегральная электронная IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | Texas Instruments | – | 14619 |
|