Характеристики

ESM2012DV — IC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 100A  •  Ток коллектора (макс): 120A  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 100A, 5V  •  Мощность макcимальная: 175W  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Chassis Mount  •  Корпус: ISOTOP
Архив документации
Возможные аналогиESM2012DV   Вся информация »

Поставщики «ESM2012DV»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
ESM2012DV (Подробнее)STMicroelectronics–35000
Shenzhen Botaike Technology Co., Ltd.,
(+86) 15992255549, sales@syxcic.com
ESM2012DV (yпаковка: MODULE; год: 24+)––3324
ESM2012DV (yпаковка: MODULE; год: 24+)––3324
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
ESM2012DV (Оригинальный и наличный и новый)ST–4100
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
ESM2012DV (TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP Подробнее)STMicroelectronics–8547
Shenzhen Boshengyuan Technology Co., Ltd.,
(518000) 13531217845, johan@syxcic.com
ESM2012DV (newOriginal Stock; yпаковка: N/A)ST–255
ESM2012DV (newOriginal Stock; yпаковка: N/A)ST–678
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
ESM2012DV––от 7 дней
ESM2012DV/STM––от 7 дней
ESM2012DVST––от 7 дней
ESM2012DV_03––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
ESM2012DV––от 7 дней
ESM2012DV/STM––от 7 дней
ESM2012DVST––от 7 дней
ESM2012DV_03––от 7 дней