Характеристики

FDPF12N35 — MOSFET N-CH 350V 12A TO-220F

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: UniFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 350V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 31.3W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Архив документации

Поставщики «FDPF12N35»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!FDPF12N35 (MOSFET N-CH 350V 12A TO-220F Подробнее)ON Semiconductor0.513$1630
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!FDPF12N35 (N-CHANNEL POWER MOSFET Подробнее)Rochester Electronics, LLC0.513$1649
Icseek Global LimitedFDPF12N35 (Оригинальный и наличный и новый)FAIRCHILD–2900
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!FDPF12N35VBsemi–5086
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDFDPF12N35 (год: 21+)VBsemi–10026
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFDPF12N35 (Подробнее)onsemi–35000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!FDPF12N35 (yпаковка: TO220F; год: 22+)FAIRCHILD–45000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FDPF12N35 (MOSFET N-CH 350V 12A TO220F Подробнее)Fairchild Semiconductor–136099
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.FDPF12N35 (22+; год: 11026)VBsemi220$–
ООО "АСПЕКТ"FDPF12N35––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"FDPF12N35––от 7 дней