Характеристики

FDR8305N — MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A SSOT-8

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 4.5V  •  Напряжение (Vdss): 20В  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V  •  Ток @ 25°C: 4.5A  •  Емкость @ Vds: 1600pF @ 10V  •  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  •  Особенности: Logic Level Gate  •  Мощность макcимальная: 800мВт  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: 8-SSOT, SuperSOT-8
Архив документации
Возможные аналогиSTC6NF30V, IRF7530   Вся информация »

Поставщики «FDR8305N»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АСПЕКТ"FDR8305Nот 7 дней
ООО "Интегральные схемы"FDR8305Nот 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFDR8305N (Подробнее)onsemi35000
Icseek Global LimitedFDR8305N (Оригинальный и наличный и новый)FAIR2900
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FDR8305N (MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8 Подробнее)onsemi168900