Характеристики

IPS03N03LA G — MOSFET N-CH 25V 90A IPAK

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: OptiMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 60A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 25V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5200pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 115W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)  •  Встречается под наим.: IPS03N03LAGX, SP000016404
Архив документации
Возможные аналогиSTD150NH02L-1   Вся информация »

Поставщики «IPS03N03LAG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IPS03N03LA G (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–5246
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IPS03N03LAG (yпаковка: TO251; год: 22+)Infineon–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IPS03N03LA G (MOSFET N-CH 25V 90A TO251-3 Подробнее)Infineon Technologies–160367
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IPS03N03LA G (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 25V 90A IPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–8117
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IPS03N03LAG––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IPS03N03LAG––от 7 дней