Характеристики

IRF3315L — MOSFET N-CH 150V 21A TO-262

Производитель: International Rectifier  •  Серия: HEXFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 12A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 150V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 3.8W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-262-3 (Straight Leads)  •  Встречается под наим.: *IRF3315L
Архив документации
  • IRF3315L - Power Mosfet (vdss=150v, Rds (on) =0.082ohm, Id=21a)
  • irf3315s.pdf на сайте irf.com
Возможные аналоги2SK1620L   Вся информация »

Поставщики «IRF3315L»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IRF3315L (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–5246
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IRF3315L (yпаковка: TO262; год: 22+)IR–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRF3315L (MOSFET N-CH 150V 21A TO262 Подробнее)Infineon Technologies–157474
IRF3315LPBF (MOSFET N-CH 150V 21A TO262 Подробнее)Infineon Technologies–159015
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRF3315L––от 7 дней
IRF3315LPBF––от 7 дней
IRF3315LPRFMD103––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRF3315L––от 7 дней
IRF3315LPBF––от 7 дней
IRF3315LPRFMD103––от 7 дней