Характеристики

IRF3710ZLPBF — MOSFET N-CH 100V 59A TO-262

Производитель: International Rectifier  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HEXFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 160W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-262-3 (Straight Leads)  •  Встречается под наим.: *IRF3710ZLPBF
Архив документации

Поставщики «IRF3710ZLPBF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IRF3710ZLPBF (Оригинальный и наличный и новый)IR5246
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IRF3710ZLPBF (yпаковка: TO262; год: 22+)Infineon45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRF3710ZLPBF (HEXFET POWER MOSFET Подробнее)International Rectifier142339
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRF3710ZLPBFот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRF3710ZLPBFот 7 дней
"Симметрон", Москва
(495) 961-2020, Факс: (495) 961-2020, moscow@symmetron.ru
IRF3710ZLPBF (MOSFET транзистор IRF3710ZLPBF; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 18 мОм; Qg: 82 нКл; Корпус: I2PAK (ТО-262) Подробнее PDF)Infineon1.01 р.