Характеристики
IRG4BC10KD
— IGBT UFAST 600V 9.0A TO-220AB
Дискретные полупроводники
»
IGBT одиночные
Производитель: International Rectifier
•
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В
•
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A
•
Ток коллектора (макс): 9A
•
Мощность макcимальная: 38Вт
•
Тип входа: Стандарт
•
Тип монтажа: Through Hole
•
Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
•
Встречается под наим.: *IRG4BC10KD
Архив документации
IRG4BC10KD
- Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode •
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
irg4bc10kd.pdf
на сайте irf.com
Возможные аналоги
HGT1S3N60C3DRS, HGTP12N60C3D, STGP3NB60KD, SKP04N60, SGP5N60RUFD, SGW5N60RUFD
Вся информация »
Поставщики «IRG4BC10KD»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Стандарт СИЗ
IRG4BC10KDPBF
(Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)
RUS
–
Да
Алмос
IRG4BC10KDPBF IGBT N-CH W/DIO 600V 9A
(IR ТО-220 б/уп; год: 2011г
Подробнее
)
–
опт: 205 р.
1
Дельта Электроника
IRG4BC10KDPBF IGBT N-CH W/DIO 600V 9A
–
161 р.
1
ООО "Антелком"
IRG4BC10KDPBF IGBT N-CH W/DIO 600V 9A
(ТО-220; yпаковка: б/уп; год: 11)
IR
м. опт: 100 р.
1
ООО "МК"
IRG4BC10KDPBF IGBT N-CH W/DIO 600V 9A (11г)
(irg4bc10kd - б/уп >для заказа или запроса нажмите на>
Подробнее
)
IR
156 р. | м. опт: 143 р. | опт: 130 р.
1
ООО "НИКА - электронные компоненты"
IRG4BC10KDPBF IGBT N-CH W/DIO 600V 9A
((IR); год: 2011г.)
–
200 р. | м. опт: 180 р. | опт: 140 р.
1
ООО "СИРИУС"
IRG4BC10KDPBF IGBT N-CH W/DIO 600V 9A
(ТО-220 б/уп (скл 5); год: 11)
IR
200 р.
1
ООО "Радио-Комплект"
IRG4BC10KDPBF IGBT N-CH W-DIO 600V 9A
(
Подробнее
)
IR
м. опт: 163.35 р. | опт: 135 р.
1
ООО "ЕК-Компонент"
IRG4BC10KD
IR
–
115
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
IRG4BC10KDPBF
(год: 09+)
IR
–
2876
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
IRG4BC10KD
(год: 05+)
IR
–
4609
Icseek Global Limited
IRG4BC10KD
(Оригинальный и наличный и новый)
IR
–
5246
Icseek Global Limited
IRG4BC10KDPBF
(Оригинальный и наличный и новый)
IR
–
5246
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
IRG4BC10KDPBF
(IGBT 600V 9A 38W TO220AB
Подробнее
)
Infineon Technologies
0.9405$
6650
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IRG4BC10KD
(yпаковка: TO-220; год: 22+)
IR
–
55000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IRG4BC10KDPBF
(yпаковка: TO-220; год: 22+)
IR
–
55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
IRG4BC10KDPBF
(IGBT, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
171776
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
IRG4BC10KD
(22+; год: 93189)
IR
220$
–
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
IRG4BC10KDPBF
(22+; год: 3876)
IR
220$
–
ООО "АСПЕКТ"
IRG4BC10KD
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IRG4BC10KDBULK
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IRG4BC10KDPBF
–
–
от 7 дней
Дельта Электроника
IRG4BC10KDPBF
–
–
6-8 недель
Дельта Электроника
IRG4BC10KDPBF,IGBT 600В 5А 8-25кГц TO220AB
–
102.96 р.
6-8 недель
Дельта Электроника
IRG4BC10KDPBF
–
0.02 р.
6-8 недель
ООО "Интегральные схемы"
IRG4BC10KD
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IRG4BC10KDBULK
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IRG4BC10KDPBF
–
–
от 7 дней
"Симметрон"
IRG4BC10KDPBF
(IGBT транзистор IRG4BC10KDPBF; V ce: 600 В; I c: 5 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.5 В; Корпус: TO-220AB
Подробнее
PDF
)
Infineon
110.06 р.
–