Характеристики
IRG4RC10KD
— DIODE IGBT 600V 9.0A D-PAK
Дискретные полупроводники
»
IGBT одиночные
Производитель: International Rectifier
•
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В
•
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A
•
Ток коллектора (макс): 9A
•
Мощность макcимальная: 38Вт
•
Тип входа: Стандарт
•
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
•
Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
•
Встречается под наим.: *IRG4RC10KD
Архив документации
IRG4RC10KD
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=600V, Vce (on) typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) •
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
irg4rc10kd.pdf
на сайте irf.com
Возможные аналоги
SKD04N60
Вся информация »
Поставщики «IRG4RC10KD»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
IRG4RC10KDPBF
(IGBT 600V 9A 38W DPAK
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
174728
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
IRG4RC10KD
(IGBT 600V 9A 38W DPAK
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
174304
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
IRG4RC10KDTRPBF
(IGBT WITH RECOVERY DIODE
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
171791
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IRG4RC10KDTRPBF.
(yпаковка: TO-252; год: 22+)
IR
–
55000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IRG4RC10KD
(yпаковка: TO-252-2; год: 22+)
IR
–
55000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
IRG4RC10KDPBF
(IGBT 600V 9A 38W DPAK
Подробнее
)
Infineon Technologies
0.8303$
11591
ZEALAN ELECTRONICS (HK) INT'L LIMITED
IRG4RC10KD
(Brandneworiginalstock)
IR
–
7000
ООО "ЕК-Компонент"
IRG4RC10KD
IR
–
6066
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
IRG4RC10KDPBF
(год: 12+)
IR
–
5775
Icseek Global Limited
IRG4RC10KDPBF
(Оригинальный и наличный и новый)
IR
–
5246
Icseek Global Limited
IRG4RC10KDTR
(Оригинальный и наличный и новый)
IR
–
5246
Icseek Global Limited
IRG4RC10KDTRPBF
(Оригинальный и наличный и новый)
INFINEON
–
5246
Icseek Global Limited
IRG4RC10KD
(Оригинальный и наличный и новый)
IR
–
5246
ООО "ЕК-Компонент"
IRG4RC10KDTRPBF.
IR
–
3951
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
IRG4RC10KDTRPBF
(год: 1149+)
IR
–
3870
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
IRG4RC10KD
(год: 0607+)
IR
–
3063
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
IRG4RC10KD
(22+; год: 4063)
IR
252$
–
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
IRG4RC10KDPBF
(22+; год: 12550)
IR
252$
–
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
IRG4RC10KDTRPBF
(22+; год: 4870)
IR
252$
–
Дельта Электроника
IRG4RC10KDPBF
–
–
6-8 недель
Дельта Электроника
IRG4RC10KDTRPBF
–
–
6-8 недель
Дельта Электроника
IRG4RC10KDPBF,IGBT 600В 5А 8-25кГц DPak
–
101.4 р.
6-8 недель
Дельта Электроника
IRG4RC10KDTRPBF,IGBT 600В 5А 8-25кГц DPak
–
115.7 р.
6-8 недель
ООО "АСПЕКТ"
IRG4RC10KD
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IRG4RC10KDPBF
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IRG4RC10KDTR
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IRG4RC10KDTRPBF
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IRG4RC10KDTRPBF.
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IRG4RC10KD
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IRG4RC10KDPBF
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IRG4RC10KDTR
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IRG4RC10KDTRPBF
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IRG4RC10KDTRPBF.
–
–
от 7 дней
"Симметрон"
IRG4RC10KDTRPBF
(IGBT транзистор IRG4RC10KDTRPBF; V ce: 600 В; I c: 5 А; f раб.: 8~25 кГц; V CE(on): 1.5 В; Корпус: DPak (TO-252)
Подробнее
PDF
)
Infineon
–
–