Характеристики
ISL9N303AP3
— MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: Fairchild Semiconductor
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: UltraFET™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 15V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Logic Level Gate
•
Power - Max: 215W
•
Mounting Type: Through Hole
•
Package / Case: TO-220-3 (Straight Leads)
Архив документации
ISL9N303AP3
- N-Channel Logic Level UltraFET® Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2m •
N-канальные транзисторные модули
isl9n303ap3.pdf (269.83Кб)
Возможные аналоги
STP80NF03L-04
Вся информация »
Поставщики «ISL9N303AP3»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
ISL9N303AP3
(22+; год: 1030)
FAIRCHILD
220$
–
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
ISL9N303AP3
(yпаковка: TO247; год: 22+)
ON
–
45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
ISL9N303AP3
(MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
Подробнее
)
onsemi
–
159997
ZEALAN ELECTRONICS (HK) INT'L LIMITED
ISL9N303AP3
(Brandneworiginalstock)
FAIRCHILD
–
10000
Стандарт СИЗ
ISL9N303AP3 (ST-STP85N3LH5)
(Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)
SANKEN
–
Да
ООО "АСПЕКТ"
ISL9N303AP3
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
ISL9N303AP3_NL
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
ISL9N303AP3_Q
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
ISL9N303AP3
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
ISL9N303AP3_NL
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
ISL9N303AP3_Q
–
–
от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
ISL9N303AP3
(
Подробнее
)
onsemi
–
35000
Icseek Global Limited
ISL9N303AP3
(Оригинальный и наличный и новый)
FSC
–
2391