Характеристики

IXFB38N100Q2 — MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HiPerFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7200pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 890W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: 3-PLUS264™
Архив документации

Поставщики «IXFB38N100Q2»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IXFB38N100Q2 (Подробнее)Littelfuse–35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IXFB38N100Q2 (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IXFB38N100Q2 (yпаковка: MAX264; год: 22+)IXYS–55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IXFB38N100Q2 (MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 Подробнее)IXYS–160845
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IXFB38N100Q2 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–21889
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
IXFB38N100Q2–2105.08 р.6-8 недель
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXFB38N100Q2––от 7 дней
IXFB38N100Q2_08––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXFB38N100Q2––от 7 дней
IXFB38N100Q2_08––от 7 дней