Характеристики
IXFH30N60P
— MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: IXYS
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: PolarHV™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 25V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Standard
•
Power - Max: 500W
•
Mounting Type: Through Hole
•
Package / Case: TO-247
Архив документации
IXFH30N60P
- PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode •
Полевые МОП транзисторы
99316.pdf
на сайте ixys.com
Поставщики «IXFH30N60P»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
IXFH30N60P
(
Подробнее
)
Littelfuse
10.67$
35000
ООО "ЕК-Компонент"
IXFH30N60P
IXYS
–
166
Icseek Global Limited
IXFH30N60P
(Оригинальный и наличный и новый)
IXYS
–
8643
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITED
IXFH30N60P
(yпаковка: TO-247-3)
IXYS
–
5580
ООО "АН-ЧИП"
IXFH30N60P
(микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
IXYS
–
30076
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
IXFH30N60P
(MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Подробнее
)
IXYS
–
151327
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IXFH30N60P
(yпаковка: TO-247; год: 22+)
IXYS/
–
55000
ООО "АСПЕКТ"
IXFH30N60P
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IXFH30N60P
–
–
от 7 дней