Характеристики

IXFN34N100 — MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HiPerFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9200pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 700W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Архив документации

Поставщики «IXFN34N100»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IXFN34N100 (Подробнее)Littelfuse35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IXFN34N100 (Оригинальный и наличный и новый)IXYS8643
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IXFN34N100 (yпаковка: SOT-227; год: 22+)IXYS55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IXFN34N100 (MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B Подробнее)IXYS162686
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXFN34N100от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXFN34N100от 7 дней