Характеристики | Производитель: IXYS • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: HiPerFET™ • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 400V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 300W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: TO-268 |
Архив документации | - IXFT30N40Q - HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode
- 98754.pdf на сайте ixys.com
|
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Icseek Global Limited, Шэньчжэнь (86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net | | IXFT30N40Q (Оригинальный и наличный и новый) | IXYS | – | 8643 | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | IXFT30N40Q | – | – | от 7 дней | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | IXFT30N40Q | – | – | от 7 дней |
|