Характеристики

IXFT30N40Q — MOSFET N-CH 400V 30A TO-268

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HiPerFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 400V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: TO-268
Архив документации
  • IXFT30N40Q - HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode
  • 98754.pdf на сайте ixys.com

Поставщики «IXFT30N40Q»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IXFT30N40Q (Оригинальный и наличный и новый)IXYS8643
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXFT30N40Qот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXFT30N40Qот 7 дней