Характеристики

IXGH32N60BU1 — IGBT W/DIODE 600V 60A TO-247AD

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HiPerFAST™  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  •  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A  •  Ток коллектора (макс): 60A  •  Мощность макcимальная: 200Вт  •  Тип входа: Стандарт  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-247AD  •  Встречается под наим.: Q898891
Архив документации
Возможные аналогиIRG4PC50UD, SKW30N60   Вся информация »

Поставщики «IXGH32N60BU1»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IXGH32N60BU1 (IGBT 600V 60A 200W TO247AD Подробнее)IXYS–174217
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!IXGH32N60BU1 (микросхема интегральная электронная IGBT W/DIODE 600V 60A TO-247AD 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–11692
ООО "АСПЕКТ"IXGH32N60BU1––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"IXGH32N60BU1––от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdIXGH32N60BU1 (Подробнее)Littelfuse–35000
Icseek Global LimitedIXGH32N60BU1 (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!IXGH32N60BU1 (yпаковка: TO247; год: 22+)IXYS–45000