Характеристики

IXTA3N60P — MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: PolarHV™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.8nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 411pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 70W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Архив документации

Поставщики «IXTA3N60P»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!IXTA3N60P (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–29486
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdIXTA3N60P (Подробнее)Littelfuse–35000
ООО "Интегральные схемы"IXTA3N60P––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IXTA3N60P––от 7 дней
Icseek Global LimitedIXTA3N60P (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!IXTA3N60P (yпаковка: TO263; год: 22+)IXYS–45000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IXTA3N60P (MOSFET N-CH 600V 3A TO263 Подробнее)IXYS–160106