Характеристики
IXTH26N60P
— MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: IXYS
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: PolarHV™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150pF @ 25V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Standard
•
Power - Max: 460W
•
Mounting Type: Through Hole
•
Package / Case: TO-247
Архив документации
IXTH26N60P
- PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated •
N-канальные транзисторные модули
30dba299-0368-44a7-adca-9b9eb7269e46.pdf
на сайте ixys.com
Поставщики «IXTH26N60P»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
IXTH26N60P
(MOSFET N-CH 600V 26A TO247
Подробнее
)
IXYS
–
155496
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IXTH26N60P
(yпаковка: TO247; год: 22+)
IXYS
–
45000
ООО "АСПЕКТ"
IXTH26N60P
–
–
от 7 дней
Icseek Global Limited
IXTH26N60P
(Оригинальный и наличный и новый)
IXYS
–
8643
ООО "Интегральные схемы"
IXTH26N60P
–
–
от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
IXTH26N60P
(
Подробнее
)
Littelfuse
6.5054$
35000
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
IXTH26N60P
(22+; год: 1030)
IXYS
–
–
ООО "АН-ЧИП"
IXTH26N60P
(микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 600V 26A TO-247 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
IXYS
–
21734