Характеристики

IXTH6N120 — MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247AD
Архив документации

Поставщики «IXTH6N120»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IXTH6N120 (Подробнее)Littelfuse12.95$35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IXTH6N120 (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
IXTH6N120IXYS–1385
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IXTH6N120 (MOSFET N-CH 1200V 6A TO247 Подробнее)IXYS–138555
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IXTH6N120 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–26556
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
IXTH6N120 (22+; год: 1385)IXYS247$–
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXTH6N120––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXTH6N120––от 7 дней