Характеристики

IXTK128N15 — MOSFET N-CH 150V 128A TO-264

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: MegaMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 150V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 128A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 540W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-264AA
Архив документации

Поставщики «IXTK128N15»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IXTK128N15 (Подробнее)Littelfuse35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IXTK128N15 (Оригинальный и наличный и новый)IXYS8643
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IXTK128N15 (MOSFET N-CH 150V 128A TO264 Подробнее)IXYS162814
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IXTK128N15 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 150V 128A TO-264 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS30283
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXTK128N15от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXTK128N15от 7 дней