Характеристики

IXUC200N055 — MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 100A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 55V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: ISOPLUS220™
Архив документации

Поставщики «IXUC200N055»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global LimitedIXUC200N055 (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!IXUC200N055 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–30306
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdIXUC200N055 (Подробнее)Littelfuse–35000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IXUC200N055 (MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS220 Подробнее)IXYS–162876
ООО "АСПЕКТ"IXUC200N055––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IXUC200N055TRENCHGATE––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"IXUC200N055––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"IXUC200N055TRENCHGATE––от 7 дней