Характеристики

MJD112-001 — TRANS DARL NPN 2A 100V STR DPAK

Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A  •  Ток коллектора (макс): 2A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V  •  Мощность макcимальная: 20Вт  •  Модуляция частот: 25MHz  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)  •  Встречается под наим.: MJD112-001OS
Архив документации

Поставщики «MJD112001»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Yee Hing Technology Co., Limit, Shenzhen
(86) 755 8278 5200, Факс: (86 755 8278 5200) , bzhang@zyhkyrade.com
MJD112-0013620––
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
MJD112-001 (Подробнее)onsemi1$35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
MJD112-001 (Оригинальный и наличный и новый)ON–4824
MJD112-001G (Оригинальный и наличный и новый)ON–4825
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
MJD112-001 (yпаковка: TO-251; год: 22+)ON–55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
MJD112-001 (TRANS NPN 100V 2A IPAK Подробнее)onsemi–183860
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
MJD112-001 (микросхема интегральная электронная TRANS DARL NPN 2A 100V STR IPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)ON Semiconductor–31300
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
MJD112001––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
MJD112001––от 7 дней