Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Mold Compound Change 12 dec 2007  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 500mA  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V  •  Мощность макcимальная: 350mW  •  Модуляция частот: 250MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3