Характеристики

NE3512S02-T1D-A — HJ-FET NCH 13.5DB S02

Производитель: NEC  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: HFET  •  Частота: 12GHz  •  Усиление: 13.5dB  •  Номинальное напряжение: 4V  •  Номинал тока: 70mA  •  Коэффициент шума: 0.35dB  •  Ток - тестовый: 10mA  •  Напряжение - тестовое: 2V  •  Корпус: S02
Архив документации

Поставщики «NE3512S02T1DA»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NE3512S02-T1D-A (yпаковка: 4-SMD,Flat Leads; год: 22+)Rochester–55000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NE3512S02-T1D-A (yпаковка: TO-50; год: 22+)NEC–45000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!NE3512S02-T1D-A (SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Подробнее)Renesas Electronics America Inc–129267
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDNE3512S02-T1D-A (год: 15+)RENESASИрИш–4917
Hightech Semiconductor Co LtdСвежие данные!NE3512S02-T1D-A (yпаковка: 22850; год: SMT-86)RENESAS/–17
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.NE3512S02-T1D-A (22+; год: 99350)RENESAS86$–
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdNE3512S02-T1D-A (Подробнее)Intersil (Renesas Electronics Corporation)0.6$16540
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDNE3512S02-T1D-A (SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Подробнее)Rochester Electronics, LLC0.585$15802
Icseek Global LimitedNE3512S02-T1D-A (Оригинальный и наличный и новый)Renesas–6482
Icseek Global LimitedNE3512S02-T1D-A/JT (Оригинальный и наличный и новый)RENESAS–6482
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!NE3512S02-T1D-A/JTRenesas Electronics–120
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NE3512S02-T1D-A/JT (yпаковка: TO-50; год: 22+)RENESAS/–45000
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDNE3512S02-T1D-AJT (год: 12+)RENESAS–3883
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.NE3512S02-T1D-A/JT (22+; год: 4883)RENESAS86$–