Характеристики

SI4435DYPBF — MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Производитель: International Rectifier  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HEXFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2320pF @ 15V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Архив документации

Поставщики «SI4435DYPBF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ИП ХайруллинаСвежие данные!SI4435DYPBF (1 неделя; yпаковка: 1303)Infineon / IRм. опт: 50 р.11
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!SI4435DYPBF (MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC Подробнее)Infineon Technologies1.2892$1278
ИП ХайруллинаСвежие данные!SI4435DYPBF (1 неделя; yпаковка: 1281; год: 2015)Infineon / IRм. опт: 180 р.11
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SI4435DYPBF (MOSFET P-CH 30V 8A 8SO Подробнее)Infineon Technologies–159284
ООО "Аркион"Свежие данные!SI4435DYPBF (SOP-8 от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: D/C: N/A)Infineon Technologies–4000
Стандарт СИЗСвежие данные!SI4435DYPBF (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)YAGEO–Да
Стандарт СИЗСвежие данные!SI4435DYPBF (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)Maxim Integr.–Да
Стандарт СИЗСвежие данные!SI4435DYPBF, Транзистор, P-канал, -30В -8А [SO-8] (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)CONNFLY–Да
Yee Hing Technology Co., LimitСвежие данные!SI4435DYPBF3000––
АВЭЛКОМ СПБSI4435DYPBF (Транзистор, P-канал, -30В -8А [SO-8]; от шт.)IR–Срок 6 дней, 0
ООО "Интегральные схемы"SI4435DYPBF––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"SI4435DYPBF––от 7 дней
Icseek Global LimitedSI4435DYPBF (Оригинальный и наличный и новый)IR–5249