Характеристики

SPB100N08S2-07 — MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

Производитель: Infineon Technologies  •  Серия: OptiMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 66A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 75V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6020pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: SP000013715, SPB100N08S207T
Архив документации

Поставщики «SPB100N08S207»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.SPB100N08S2-07 (22+; год: 15500)INENOI263$
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!SPB100N08S2-07 (yпаковка: TO263; год: 22+)Infineon45000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SPB100N08S2-07 (MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 Подробнее)Infineon Technologies160407
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDSPB100N08S2-07 (год: 20+)INENOI4833
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!SPB100N08S2-07 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)8156