Характеристики

SPB11N60C3 — MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: CoolMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 650V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 125W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: SP000013519, SPB11N60C3INTR, SPB11N60C3XT, SPB11N60C3XTINTR, SPB11N60C3XTINTR-ND
Архив документации
Возможные аналогиSTB11NM60T4   Вся информация »

Поставщики «SPB11N60C3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITED, Shenzhen
(86) 755 88822285, Факс: (86) 755 83957852, harry@ic-clc.com
SPB11N60C3 (yпаковка: TO263)Infineon5580
XПро-актив, Москва
(+7) 9264725670, solovievs.k@yandex.ru
SPB11N60C3INFINEONДа
ИП Соловьев, Москва
(495) 792-06-99, k.v.soloviev@europe.com
SPB11N60C3INFINEONДа
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
SPB11N60C3ATMA1 (MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK Подробнее)Infineon Technologies3.132$2716
RYX ELECTRONIC LIMITED, Shenzhen
(86) 15920010314, info@ryxic.com
SPB11N60C3 (yпаковка: TO-263; год: 1223+)INFINEON2
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
SPB11N60C3Infineon Technologies AG6116
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
SPB11N60C3 (yпаковка: TO-263; год: 22+)Infineon55000
SPB11N60C3 11N60C3 (yпаковка: TO263; год: 22+)Infineon45000
HK Future Electronic Co.,Ltd, Shenzhen
(+86) 15901986160, evan@hkfuture.net
SPB11N60C3 (год: 10+)INFINEON6000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
SPB11N60C3ATMA1 (MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3 Подробнее)Infineon Technologies132310
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
SPB11N60C3 (год: 1922+)INFINEON4411
SPB11N60C3ATMA1 (год: 22+)IXF6000
SPB11N60C3 11N60C3 (год: 1932+)INFINEON967
А-Поставщик ЭКБ, Москва
(495) 7840480, sales@asourcingelectronics.ru
SPB11N60C3 (В наличии на складе TC в КНР. Доставка РФ в срок от 2 недель; yпаковка: #N/A; год: 2021)Infineon1000
SPB11N60C3ATMA1 (В наличии на складе TC в КНР. Доставка РФ в срок от 2 недель; yпаковка: #N/A; год: 2021)Infineon1000
ООО "Аркион", Санкт-Петербург
(8) 9110839522, sales@arkion.ru
SPB11N60C3 (PG-TO263-3 от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: 23+)Infineon Technologies15000
HSMELECT TECHNOLOGY CO., LIMITED,
(+86) 19868931206, info@hsmkey.com
SPB11N60C3 (TO-263; год: 08+)INFINEON10000
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
SPB11N60C3 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)25612
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
SPB11N60C3 (22+; год: 87263)INFINEON263$
SPB11N60C3 11N60C3 (22+; год: 1967)INFINEON263$
Стандарт СИЗ, Москва
(495) 799-28-33, sale@standartsiz.ru
SPB11N60C3 (ST-STB13NM60N) (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)Да
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
SPB11N60C3от 7 дней
SPB11N60C3ATMA1от 7 дней
SPB11N60C3E304от 7 дней
SPB11N60C3XTот 7 дней
SPB11N60C3_07от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
SPB11N60C3от 7 дней
SPB11N60C3ATMA1от 7 дней
SPB11N60C3E304от 7 дней
SPB11N60C3XTот 7 дней
SPB11N60C3_07от 7 дней
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
SPB11N60C3 , TO-263169 р.6-8 недель
SPB11N60C36-8 недель
SPB11N60C3 , TO-263156 р.6-8 недель
SPB11N60C3ATMA1167.6 р.6-8 недель
SPB11N60C3ATMA16-8 недель
"Симметрон", Москва
(495) 961-2020, Факс: (495) 961-2020, moscow@symmetron.ru
SPB11N60C3ATMA1 (MOSFET транзистор SPB11N60C3ATMA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 380 мОм; Qg: 45 нКл; Корпус: D2Pak (TO-263) Подробнее PDF)Infineon