Характеристики

SPI80N03S2L-03 — MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: OptiMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8180pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)  •  Встречается под наим.: SP000016261, SPI80N03S2L03X
Архив документации
Возможные аналогиSTB100NF03L-03-1, STB80NF03L-04-1   Вся информация »

Поставщики «SPI80N03S2L03»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!SPI80N03S2L-03 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)8226
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!SPI80N03S2L-03 (yпаковка: TO-262; год: 22+)Infineon55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!SPI80N03S2L-03 (MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 Подробнее)Infineon Technologies160475
ООО "АСПЕКТ"SPI80N03S2L03SIEот 7 дней
ООО "Интегральные схемы"SPI80N03S2L03SIEот 7 дней