Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: OptiMOS™ • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8180pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 300W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) • Встречается под наим.: SP000016261, SPI80N03S2L03X |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Поставщики «SPI80N03S2L03» | |
|