Характеристики

STB80NF55-08-1 — MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

Производитель: STMicroelectronics  •  Серия: STripFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 55V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3850pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)  •  Встречается под наим.: 497-3516-5
Архив документации

Поставщики «STB80NF55081»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
STB80NF55-08-1 (Подробнее)STMicroelectronics–35000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
STB80NF55-08-1 (yпаковка: TO-262; год: 22+)ST–55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
STB80NF55-08-1 (MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK Подробнее)STMicroelectronics–158716
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
STB80NF55-08-1 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–38443