Характеристики

STD3NM60-1 — MOSFET N-CH 600V 3A IPAK

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: MDmesh™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 324pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 42W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Архив документации
  • STD3NM60-1 - N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220 / DPAK / IPAK Zener-Protected MDmeshPower MOSFET
  • std3nm60-1.pdf на сайте st.com
Возможные аналогиSTD3NM60-1, STD3NM60-1, STD3NM60-1, STD3NM60-1   Вся информация »

Поставщики «STD3NM601»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
STD3NM60-1 (Подробнее)STMicroelectronics–35000
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
STD3NM60-1VBsemi–3156
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
STD3NM60-1 (yпаковка: TO251; год: 22+)ST–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
STD3NM60-1 (MOSFET N-CH 600V 3A IPAK Подробнее)STMicroelectronics–162242
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
STD3NM60-1 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 600V 3A IPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–39086
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
STD3NM601––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
STD3NM601––от 7 дней