Характеристики

STGP3NB60K — MOSFET N-CHAN 6A 600V TO-220

Производитель: STMicroelectronics  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: PowerMESH™  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  •  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A  •  Ток коллектора (макс): 6A  •  Мощность макcимальная: 68Вт  •  Тип входа: Стандарт  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Архив документации
Возможные аналогиIRG4BC10KD, SKP02N61, SKP04N60   Вся информация »

Поставщики «STGP3NB60K»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!STGP3NB60KD (IGBT 600V 10A 50W TO220 Подробнее)STMicroelectronics–174420
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STGP3NB60K (микросхема интегральная электронная IGBT 600V 10A 50W TO220 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–12708
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STGP3NB60KD (микросхема интегральная электронная IGBT 600V 10A 50W TO220 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics–12709
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSTGP3NB60K (Подробнее)STMicroelectronics–35000
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSTGP3NB60KD (Подробнее)STMicroelectronics–35000
ООО "АСПЕКТ"STGP3NB60K––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"STGP3NB60KD––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"STGP3NB60KDFP––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"STGP3NB60K––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"STGP3NB60KD––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"STGP3NB60KDFP––от 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!STGP3NB60K (yпаковка: TO-220; год: 22+)ST–55000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!STGP3NB60KD (yпаковка: TO-220; год: 22+)ST–55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!STGP3NB60K (IGBT 600V 10A 50W TO220 Подробнее)STMicroelectronics–174419