Характеристики

STW80NE06-10 — MOSFET N-CH 60V 80A TO-247

Производитель: STMicroelectronics  •  Серия: STripFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 189nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 250W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247-3  •  Встречается под наим.: 497-2790-5
Архив документации
Возможные аналоги2SK2313, IRFP064N   Вся информация »

Поставщики «STW80NE0610»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!STW80NE06-10 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)STMicroelectronics38267
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSTW80NE06-10 (Подробнее)STMicroelectronics35000
ООО "Интегральные схемы"STW80NE0610от 7 дней
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!STW80NE06-10STMicroelectronics2393
ООО "АСПЕКТ"STW80NE0610от 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!STW80NE06-10 (yпаковка: TO-247; год: 22+)ST55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!STW80NE06-10 (MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3 Подробнее)STMicroelectronics158456
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDSTW80NE06-10 W80NE06-10 (год: 1932+)ST212