2SB1189T100Q | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 700mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SB1189T100R	Rohm Semiconductor	TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 700mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2SB1260T100Q	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR PNP 80V 1A SO-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2SB1189T100Q — TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89

Схожие по характеристикам