BC639RL1 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 800мВт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 800мВт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC639ZL1	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC635RL1	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 45V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC635RL1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 45V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC639RL1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 800мВт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC639	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC635ZL1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 45V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC639G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC639ZL1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 800мВт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC639-16ZL1	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC635ZL1	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN GP 45V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 625mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BC639RL1 — TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам