BC879,112 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 830mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC875,126	NXP Semiconductors	TRANSISTOR DARL NPN 45V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 830mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

BC879,112 — TRANS DARL NPN 80V 1A TO-92

Схожие по характеристикам