Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA  •  Ток коллектора (макс): 1A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V  •  Мощность макcимальная: 830mW  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Тип транзистора: NPN - Darlington  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  •  Встречается под наим.: BC875 AMO, BC875 AMO-ND