FJE3303H2TU | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	KSE13003H2AS	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках
	KSE13003H2ASTU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	FJE3303H2	Fairchild Semiconductor	TRANS NPN 700V 1.5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	KSE13003AS	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках
	KSE13003H3ASTU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 700V 1.5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	KSE13003H1ASTU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	FJE3303TU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	KSE13003ASTU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках
	FJE3303H1TU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	KSE13003H1AS	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)		Доп. информация Искать в поставщиках
	KSE13003TH2ATU	Fairchild Semiconductor	TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 20Вт · Модуляция частот: 4MHz · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

FJE3303H2TU — TRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам