Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
KSE13003TH2ATU

- Габаритный чертеж

KSE13003TH2ATU — TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-220

ПроизводительFairchild Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Обратите вниманиеHeatsink Pkg Change 29 ноя 2007
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)400В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic3V @ 500mA, 1.5A
Ток коллектора (макс)1.5A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce14 @ 500mA, 2V
Мощность макcимальная20Вт
Модуляция частот4MHz
Тип транзистораNPN
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-220-3 (Straight Leads)
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
KSE13003H2ASTUKSE13003H2ASTUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
FJE3303H2Fairchild SemiconductorTRANS NPN 700V 1.5A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
KSE13003H2ASFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
FJE3303H2TUFJE3303H2TUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-126-3 (Straight Leads)
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
KSE13003TH1ATUKSE13003TH1ATUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
KSE13003TATUKSE13003TATUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 20Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «KSE13003TH2ATU» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте