Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
![]() | MJD253-1G | ON Semiconductor | TRANS POWER PNP 4A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V · Мощность макcимальная: 12.5W · Модуляция частот: 40MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |