Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)
 
MJD253-1G

MJD253-1G — TRANS POWER PNP 4A 100V DPAK

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)100V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic300mV @ 50mA, 500mA
Ток коллектора (макс)4A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 200mA, 1V
Мощность макcимальная12.5W
Модуляция частот40MHz
Тип транзистораPNP
Тип монтажаThrough Hole
КорпусIPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MJD253-001MJD253-001ON SemiconductorTRANS POWER PNP 4A 100V DPAK-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 12.5W  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MJD253-1G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте