Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
MPS3646G

- Дополнительное фото

MPS3646G — TRANSISTOR SW NPN 15V TO-92

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)15V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic200mV @ 3mA, 30mA
Ток коллектора (макс)300mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)500nA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 30mA, 400mV
Мощность макcимальная625mW
Модуляция частот350MHz
Тип транзистораNPN
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-92-3 (Standard Body), TO-226
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MPS3646RLRAMPS3646RLRAON SemiconductorTRANSISTOR SW NPN 15V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 350MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS3646RLRAGMPS3646RLRAGON SemiconductorTRANSISTOR SW NPN 15V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 350MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
MPS3646MPS3646ON SemiconductorTRANSISTOR SW NPN 15V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 350MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MPS3646G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте