Войти Регистрация

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

MPS6724G

MPS6724G — TRANS NPN DARL BIPO 1W 40V TO-92

Производитель	ON Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	40В
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 2mA, 1A
Ток коллектора (макс)	1A
Ток отсечки коллетора (vfrc)	100nA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	4000 @ 1A, 5V
Мощность макcимальная	1Вт
Модуляция частот	1GHz
Тип транзистора	NPN - Darlington
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-92-3 (Long Body), TO-226

Аналогичные по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPS6724	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL BIPO 1W 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPS6725	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL SS 50V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPS6724RLRAG	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL BIPO 1W 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPS6725G	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL SS 50V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPS6724RLRA	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL BIPO 1W 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте