MPS6725 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPS6725G	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL SS 50V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPS6725RLRPG	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL BIPO 1W 50V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPS6724G	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL BIPO 1W 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPS6724	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL BIPO 1W 40V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPS6725RLRP	ON Semiconductor	TRANS NPN DARL BIPO 1W 50V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 1GHz · Тип транзистора: NPN - Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

MPS6725 — TRANS NPN DARL SS 50V TO92

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам